64 мегабайта DDR памяти в 8 микросхемах (предположительно Hyundai 3.6нс), частота работы памяти (предположительно) 275(550)Мгц, 128-битная шина обмена чипа и памяти;

2-х канальный контроллер памяти, рассчитанный на работу с SDRAM и SGRAM памятью до 300МГц (600Мгц DDR) объемом до 256Мб;

число конвейеров рендеринга 4 по 2 текстурных модуля на каждом конвейере;

пиковая скорость заполнения сцены в режиме мультитекстурирования 1000 мегапикселей в секунду, 2000 мегатекселей в секунду при работе на каждом конвейере двух текстурных блоков;

возможность наложения до 6 текселей на пиксель за один проход;

теоретическая пропускная способность памяти 8.8Гб/с;